中國第三代半導(dǎo)體領(lǐng)軍企業(yè)英諾賽科（2577.HK）發(fā)布2024年度業(yè)績。從財(cái)務(wù)表現(xiàn)來看，英諾賽科2024年實(shí)現(xiàn)銷售收入828.5百萬元，較2023年相0比增長39.8%。此外，公司2024年的整體毛虧損率較2023年的-61.6%大幅改善至-19.5%，提升42.1個(gè)百分點(diǎn)。

IDM模式構(gòu)筑技術(shù)護(hù)城河

英諾賽科的崛起，始于對IDM（垂直整合制造）模式的顛覆性創(chuàng)新。當(dāng)全球半導(dǎo)體巨頭受制于“設(shè)計(jì)－制造－封測”環(huán)節(jié)的割裂時(shí)，英諾賽科建成了全球首條8英寸硅基氮化鎵產(chǎn)線，建立了涵蓋芯片設(shè)計(jì)到晶圓制造、封裝及可靠性測試的IDM模式，并實(shí)現(xiàn)氮化鎵芯片的高產(chǎn)能利用率、高良率、大規(guī)模穩(wěn)定出貨。

截至2024年末，英諾賽科的晶圓產(chǎn)能達(dá)1.3萬片/月，充裕的產(chǎn)能可以滿足大規(guī)模采購需求，為下游功率電源客戶提供可靠的供應(yīng)鏈保障。制造良率超過95%，這意味著更低的生產(chǎn)成本和更高的產(chǎn)品質(zhì)量，為公司贏得了良好的口碑。

此外，公司已量產(chǎn)及研發(fā)產(chǎn)品電壓范圍覆蓋15V到1200V，可以充分滿足消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心、汽車電子等各種消費(fèi)和工業(yè)場景需求。

虧損大幅收窄，有望較其他IDM企業(yè)更快實(shí)現(xiàn)盈利

高回報(bào)、高技術(shù)與制造壁壘，是IDM模式的優(yōu)勢，也是全球功率半導(dǎo)體巨頭的必然選擇，但早期需要投入大量資金開展研發(fā)和制造，產(chǎn)能利用率低、折舊攤銷費(fèi)用高昂，導(dǎo)致IDM企業(yè)普遍面臨沉重的財(cái)務(wù)壓力，通常情況下，IDM企業(yè)需要8～10年才能實(shí)現(xiàn)盈利。

英諾賽科僅用7年時(shí)間便改寫了行業(yè)規(guī)律，從其最新公布的數(shù)據(jù)來看，整體毛虧損率從-61.6%大幅改善至-19.5%，有望較其他IDM公司更快地實(shí)現(xiàn)盈利目標(biāo)。

英諾賽科的財(cái)務(wù)表現(xiàn)突破行業(yè)規(guī)律，背后是技術(shù)、市場、管理的三重協(xié)同效應(yīng)。

在制造工藝端，公司不僅在全球范圍內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)了8英寸氮化鎵量產(chǎn)工藝，技術(shù)領(lǐng)先于氮化鎵芯片行業(yè)已有廠商，而且推進(jìn)制造能力的自主可控，自研或改造制造設(shè)備，此外，依托研發(fā)平臺，持續(xù)進(jìn)行制造工藝迭代，引領(lǐng)氮化鎵行業(yè)技術(shù)突破。

在器件產(chǎn)品端，依托強(qiáng)大的制造能力協(xié)同，產(chǎn)品研發(fā)周期和研發(fā)成本顯著優(yōu)于競爭對手，不僅實(shí)現(xiàn)對下游客戶需求快速響應(yīng)，而且持續(xù)推出創(chuàng)新產(chǎn)品。以數(shù)據(jù)中心行業(yè)應(yīng)用為例，公司近期推出INN100EA035A，成為全球首個(gè)實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)的100V級GaN解決方案，該產(chǎn)品采用了先進(jìn)的雙冷卻En-FCLGA封裝，熱性能較傳統(tǒng)方案優(yōu)化65%，功率密度提升了20%，系統(tǒng)功率損耗降低35%以上，這款新產(chǎn)品成為AI服務(wù)器48VDC-DC電源傳輸?shù)睦硐脒x擇。

通過供應(yīng)鏈端和產(chǎn)品端的密切協(xié)同，英諾賽科的經(jīng)營發(fā)展產(chǎn)生了飛輪效應(yīng)，避免陷入價(jià)格戰(zhàn)泥潭。

從市場需求側(cè)分析，英諾賽科已成為消費(fèi)電子市場絕對領(lǐng)先者，推動公司經(jīng)營收入規(guī)模持續(xù)增長，AI算力、電動汽車、機(jī)器人等新興行業(yè)的爆發(fā)式增長，為公司收入打開新的增長量級，攜IDM經(jīng)營模式之利，公司即將充分承接下游市場需求爆發(fā)的紅利。

在管理上，公司持續(xù)加強(qiáng)對運(yùn)營成本的管控，公司招股書數(shù)據(jù)顯示，銷售、管理、研發(fā)三項(xiàng)費(fèi)用占收入比例持續(xù)下降，部分原因在于公司收入攀升，產(chǎn)生規(guī)模經(jīng)濟(jì)，從側(cè)面也反映出公司在器件研發(fā)、工藝迭代、供應(yīng)鏈優(yōu)化等方面的降本產(chǎn)生了顯著效果。

未來展望：從挑戰(zhàn)者到規(guī)則制定者

站在2025年的市場需求拐點(diǎn)，英諾賽科已鎖定萬億級賽道。AI算力飆升，GPU廠商對降低能耗需求愈加迫切，傳統(tǒng)硅基MOSFET已逼近工藝和材料極限，氮化鎵擁有高頻、高耐壓、高能效等特性，在AI領(lǐng)域替代硅MOS的前景巨大。在電動汽車領(lǐng)域，氮化鎵芯片可以顯著提升能效比、精簡電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，推動電源、電機(jī)系統(tǒng)的輕量化和小型化，這將有助于汽車廠商降低整車成本，并緩解廠商們的“續(xù)航里程焦慮”。

根據(jù)弗若斯特沙利文預(yù)測，2028年全球氮化鎵功率半導(dǎo)體市場規(guī)模將達(dá)501億元人民幣，占全球功率半導(dǎo)體市場的10.1%。若保持類似增速，2030年全球市場規(guī)模有望突破100億美元。

技術(shù)上，英諾賽科在2025年有望進(jìn)入“井噴期”。

在人形機(jī)器人領(lǐng)域，公司精準(zhǔn)錨定技術(shù)前沿與市場需求，相繼重磅推出全系列氮化鎵產(chǎn)品，主要包括150V和100V的氮化鎵功率器件，同時(shí)，公司亦充分發(fā)揮自身研發(fā)優(yōu)勢，賦能行業(yè)客戶的項(xiàng)目研發(fā)。

在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域，公司已向全球多家廠商量產(chǎn)交付服務(wù)器電源芯片，并推進(jìn)氮化鎵芯片在GPU直流電源轉(zhuǎn)換中的應(yīng)用。隨著INN100EA035A等系列新產(chǎn)品的發(fā)布，預(yù)計(jì)公司在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域的市場份額、應(yīng)用場景將不斷擴(kuò)大。

在汽車電子領(lǐng)域，多家知名車企及激光雷達(dá)廠商已搭載英諾賽科的芯片。此外，公司也在全力發(fā)展OBC等新的車規(guī)應(yīng)用場景。

旺盛的市場需求為英諾賽科培育了豐富的客戶群，在向客戶大規(guī)模穩(wěn)定交付產(chǎn)品的過程中，通過與客戶的長期互動，該公司的技術(shù)“護(hù)城河”越發(fā)牢固雄厚。該公司下游客戶遍及中國和歐日韓等海外市場，涵蓋了功率半導(dǎo)體制造商、汽車OEM供應(yīng)商、新能源公司、手機(jī)與電腦廠商等，應(yīng)用場景千差萬別，性能需求各異，在服務(wù)這些客戶過程中，英諾賽科持續(xù)優(yōu)化供應(yīng)鏈能力，并不斷豐富完善各類芯片應(yīng)用解決方案。

英諾賽科用第三代半導(dǎo)體技術(shù)同時(shí)撬動消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心、新能源汽車市場，在較短時(shí)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)經(jīng)營業(yè)績大幅改善，相較于其他IDM企業(yè)，不僅是技術(shù)和產(chǎn)品的突破，其創(chuàng)新成長模式也超越傳統(tǒng)。

隨著公司不斷推出應(yīng)用于AI服務(wù)器、EV和機(jī)器人等領(lǐng)域的領(lǐng)先產(chǎn)品，引領(lǐng)GaN產(chǎn)業(yè)發(fā)展，英諾賽科的商業(yè)實(shí)踐證明了中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)從“技術(shù)跟隨者”向“新規(guī)則創(chuàng)建者”的轉(zhuǎn)變。