燕東微：尊敬的投資者您好，在當前激烈的市場競爭環(huán)境下，燕東微將繼續(xù)堅持創(chuàng)新為核心的發(fā)展戰(zhàn)略，不斷加大新品研發(fā)投入，積極開發(fā)新產(chǎn)品及新工藝平臺，由傳統(tǒng)的消費類市場向新能源、工業(yè)、汽車等新領域轉(zhuǎn)移，不斷提升公司綜合競爭力。2024年上半年公司部分在研項目進展及階段性成果如下：（1）6英寸SiC芯片研發(fā)項目：進一步優(yōu)化了產(chǎn)品的參數(shù)性能，多款產(chǎn)品產(chǎn)出優(yōu)化后的樣品，MOSFET工藝平臺完成部分關鍵工藝優(yōu)化；（2）IGBT技術升級項目：消費類溝槽型IGBT、車規(guī)級IGBT完成開發(fā)并實現(xiàn)批量生產(chǎn)；（3）溝槽分離柵MOSFET（SGT）工藝平臺開發(fā)項目：100VSGT已實現(xiàn)量產(chǎn)，目前正在結(jié)合快充應用場景對現(xiàn)有技術平臺進行迭代升級和拓展；（4）熱成像工藝平臺開發(fā)項目：完成熱成像工藝平臺首款產(chǎn)品終端驗證，實現(xiàn)了消費類熱成像應用；（5）12英寸硅光SOI工藝平臺開發(fā)項目：完成版圖設計，開展工藝驗證，已完成核心工藝技術復雜圖形光刻工藝、低側(cè)壁粗糙度刻蝕工藝驗證；（6）磁耦合數(shù)字隔離器開發(fā)項目：完成電感隔離結(jié)構(gòu)電路設計、版圖設計，完成MPW流片，電路功能正常；（7）硅高頻功率MOS場效應晶體管的系列化研發(fā)項目：2款硅高頻LDMOS產(chǎn)品小批量試生產(chǎn)；5款硅高頻LDMOS產(chǎn)品評測合格，通過客戶驗證；2款LDMOS新產(chǎn)品導入中；（8）54AC項目：新增完成1款54AC系列產(chǎn)品的鑒定檢驗。累計完成15款54AC系列產(chǎn)品鑒定檢驗；（9）高壓大功率驅(qū)動電路工藝平臺研發(fā)項目：完成一款芯片功能驗證，發(fā)布PDK0.1；（10）12英寸0.18um40V/100V工業(yè)驅(qū)動芯片工藝研發(fā)項目：確定了兩個平臺的器件清單及器件結(jié)構(gòu)，完成兩個平臺初版flow制定；（11）多電壓檔超高壓BCD工藝平臺研發(fā)項目：完成不同電壓檔（5V~600V）器件結(jié)構(gòu)設計、tapeout準備工作、flow流程搭建，核心工藝開發(fā)；（12）模擬開關系列研發(fā)項目：完成6款模擬開關產(chǎn)品鑒定檢驗，14款完成流片，評測中，9款流片中。2024年上半年實現(xiàn)了硅光工藝平臺產(chǎn)品的量產(chǎn)，這一里程碑式的成就標志著公司在硅光技術領域的重大突破。硅光產(chǎn)品憑借其集成度高、成本低、功耗低等優(yōu)勢，已成功應用于光通信、光互連、激光雷達等多個關鍵領域。未來，燕東微將繼續(xù)深耕硅光芯片領域，加大科研投入，推動技術創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)升級，積極回報投資者。

燕東微：尊敬的投資者您好，公司二季度營業(yè)收入較一季度基本持平，由于受市場變化、部分產(chǎn)品價格下降及需求下滑多種因素的影響，二季度較一季度凈利潤有所下降，公司管理層積極調(diào)整現(xiàn)有產(chǎn)線產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，推進產(chǎn)品結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型升級，持續(xù)加大研發(fā)投入，2024年上半年研發(fā)費用11,332.63萬元，同比增長1,876.78萬元，在研發(fā)強度的推動下，公司取得了如下研發(fā)成果：（1）12英寸晶圓生產(chǎn)線高密度功率器件具備批量穩(wěn)定量產(chǎn)能力，良率達到98.5%以上；（2）基于8英寸、12英寸晶圓生產(chǎn)線持續(xù)提升高密度功率器件溝槽圖形化工藝能力，比導通電阻性能提升10%以上，導通電阻達到業(yè)內(nèi)先進水平；（3）車規(guī)級IGBT工藝平臺實現(xiàn)批量生產(chǎn)；（4）基于超高壓700VBCD工藝平臺基礎，實現(xiàn)22款產(chǎn)品規(guī)?；慨a(chǎn)；（5）基于8英寸晶圓生產(chǎn)線，完成CMOS工業(yè)用電機驅(qū)動電路量產(chǎn)；（6）1200VSiCSBD產(chǎn)品完成技術迭代，功率密度達到國內(nèi)先進水平；1200VSiCMOS產(chǎn)品完成關鍵工藝優(yōu)化，導通電阻、漏電流等主要參數(shù)達到行業(yè)主流產(chǎn)品水平；（7）基于現(xiàn)有SiN硅光工藝平臺，完成5款新產(chǎn)品研制，轉(zhuǎn)入量產(chǎn)實現(xiàn)穩(wěn)定供貨；（8）完成通用邏輯系列產(chǎn)品量產(chǎn)交付；32通道總線收發(fā)器產(chǎn)品通過客戶驗證；（9）完成5V/40VSOICMOS工藝平臺搭建，代表產(chǎn)品通過可靠性認證；（10）在射頻領域拓展方面，完成13.56MHz射頻電源千瓦級產(chǎn)品的研制，實現(xiàn)量產(chǎn)交付。公司在上半年實現(xiàn)了硅光工藝平臺產(chǎn)品的量產(chǎn)，同時在8英寸相關硅光產(chǎn)品方面也實現(xiàn)了市場化銷售，未來，燕東微將繼續(xù)深耕硅光芯片領域，加大科研投入，推動技術創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)升級，公司將積極拓展產(chǎn)品應用領域，持續(xù)擴大市場規(guī)模，提高運營效率與經(jīng)營效益。

燕東微：尊敬的投資者您好，公司于2022年12月16日在上海證券交易所科創(chuàng)板上市，2022年收入21.75億元，歸屬于上市公司股東的凈利潤4.62億元，2023年收入21.27億元，歸屬于上市公司股東的凈利潤4.52億元，2024年1-6月收入6.17億元，歸屬于上市公司股東的凈利潤-1513萬元，2024年上半年業(yè)績下滑主要受市場變化、部分產(chǎn)品價格下降及需求下滑等多種因素的影響。在當前激烈的市場競爭環(huán)境下，燕東微始終堅持創(chuàng)新為核心的發(fā)展戰(zhàn)略，積極開發(fā)新產(chǎn)品及新工藝平臺，持續(xù)擴大市場規(guī)模，深耕硅光芯片領域，不斷加大新品研發(fā)投入，積極推動產(chǎn)品更新?lián)Q代，實施產(chǎn)品結(jié)構(gòu)調(diào)優(yōu)，提升綜合競爭力。

燕東微：尊敬的投資者您好，在當前激烈的市場競爭環(huán)境下，燕東微將繼續(xù)堅持創(chuàng)新為核心的發(fā)展戰(zhàn)略，不斷加大新品研發(fā)投入，積極開發(fā)新產(chǎn)品及新工藝平臺，由傳統(tǒng)的消費類市場向新能源、工業(yè)、汽車等新領域轉(zhuǎn)移，不斷提升公司綜合競爭力。2024年上半年公司部分在研項目進展及階段性成果如下：（1）6英寸SiC芯片研發(fā)項目：進一步優(yōu)化了產(chǎn)品的參數(shù)性能，多款產(chǎn)品產(chǎn)出優(yōu)化后的樣品，MOSFET工藝平臺完成部分關鍵工藝優(yōu)化；（2）IGBT技術升級項目：消費類溝槽型IGBT、車規(guī)級IGBT完成開發(fā)并實現(xiàn)批量生產(chǎn)；（3）溝槽分離柵MOSFET（SGT）工藝平臺開發(fā)項目：100VSGT已實現(xiàn)量產(chǎn)，目前正在結(jié)合快充應用場景對現(xiàn)有技術平臺進行迭代升級和拓展；（4）熱成像工藝平臺開發(fā)項目：完成熱成像工藝平臺首款產(chǎn)品終端驗證，實現(xiàn)了消費類熱成像應用；（5）12英寸硅光SOI工藝平臺開發(fā)項目：完成版圖設計，開展工藝驗證，已完成核心工藝技術復雜圖形光刻工藝、低側(cè)壁粗糙度刻蝕工藝驗證；（6）磁耦合數(shù)字隔離器開發(fā)項目：完成電感隔離結(jié)構(gòu)電路設計、版圖設計，完成MPW流片，電路功能正常；（7）硅高頻功率MOS場效應晶體管的系列化研發(fā)項目：2款硅高頻LDMOS產(chǎn)品小批量試生產(chǎn)；5款硅高頻LDMOS產(chǎn)品評測合格，通過客戶驗證；2款LDMOS新產(chǎn)品導入中；（8）54AC項目：新增完成1款54AC系列產(chǎn)品的鑒定檢驗。累計完成15款54AC系列產(chǎn)品鑒定檢驗；（9）高壓大功率驅(qū)動電路工藝平臺研發(fā)項目：完成一款芯片功能驗證，發(fā)布PDK0.1；（10）12英寸0.18um40V/100V工業(yè)驅(qū)動芯片工藝研發(fā)項目：確定了兩個平臺的器件清單及器件結(jié)構(gòu)，完成兩個平臺初版flow制定；（11）多電壓檔超高壓BCD工藝平臺研發(fā)項目：完成不同電壓檔（5V~600V）器件結(jié)構(gòu)設計、tapeout準備工作、flow流程搭建，核心工藝開發(fā)；（12）模擬開關系列研發(fā)項目：完成6款模擬開關產(chǎn)品鑒定檢驗，14款完成流片，評測中，9款流片中。2024年上半年實現(xiàn)了硅光工藝平臺產(chǎn)品的量產(chǎn)，這一里程碑式的成就標志著公司在硅光技術領域的重大突破。硅光產(chǎn)品憑借其集成度高、成本低、功耗低等優(yōu)勢，已成功應用于光通信、光互連、激光雷達等多個關鍵領域。未來，燕東微將繼續(xù)深耕硅光芯片領域，加大科研投入，推動技術創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)升級，積極回報投資者。

燕東微：尊敬的投資者您好，硅光芯片與傳統(tǒng)的集成電路芯片為互補關系，在各自的領域有其自身的優(yōu)勢。硅光技術近些年來發(fā)展很快，在光通信、激光雷達掃描、AI大數(shù)據(jù)等領域得到了廣泛的應用，但是在純光計算、光存儲等領域尚在理論探索和原型機階段，還有很多技術難題需要攻克。在可以預見未來的一段時間內(nèi)，硅光芯片與集成電路芯片將共同發(fā)展。

燕東微：尊敬的投資者您好，公司主營業(yè)務包括產(chǎn)品與方案和制造與服務兩大類。公司產(chǎn)品與方案板塊的產(chǎn)品包括分立器件及模擬集成電路、特種集成電路及器件。公司制造與服務板塊聚焦于提供半導體開放式晶圓制造和封裝測試服務。公司已經(jīng)根據(jù)市場情況開展硅光工藝平臺建設，目前公司基于SiN硅光工藝平臺已實現(xiàn)關鍵突破，傳輸損耗＜0.1dB/cm，并實現(xiàn)一款激光雷達和一款光通信產(chǎn)品的量產(chǎn)，產(chǎn)品良率達95%以上；正在導入多款可應用于O-Band、C-Band不同波段下的通信類產(chǎn)品；SOI硅光工藝平臺完成了關鍵器件工藝開發(fā)。

燕東微：尊敬的投資者您好，公司產(chǎn)品主要應用于消費電子、汽車電子、新能源、電力電子、通訊和智能終端、特種等領域。公司的業(yè)務情況詳見公司年報，謝謝。

燕東微：尊敬的投資者您好，公司產(chǎn)品主要應用于消費電子、汽車電子、新能源、電力電子、通訊和智能終端、特種等領域。公司的業(yè)務情況詳見公司年報，謝謝。

燕東微：尊敬的投資者您好，公司分紅方案將經(jīng)董事會審議后披露，請關注公司公告，謝謝。

燕東微：尊敬的投資者您好，公司一款光通信產(chǎn)品已實現(xiàn)工藝貫通，進入樣品批試制階段，正在按項目預期進度有序開展中。